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Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
1.2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
- 80
- 40
0 40 80 120
T J , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
160
200
- 80
- 40
0 40 80 120
T J , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
160
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
20000
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
10000
1000
C ISS
C OSS
8
6
4
VDD =30V
WAVEFORMS IN
f = 1MHz
V GS = 0V
C RSS
2
ASCENDING ORDER:
ID = 80A
ID = 1A
100
0.1
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB5800 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
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